大尺寸硅衬底MicroLED外延推动国产微显技术新突破来源:LEDinside 近日,国内企业与高校科研团队强强联合,在Micro LED微显示关键技术上取得最新突破,并在核心国际学术期刊上发表重要成果。 为突破Micro LED微显示的全彩瓶颈,今年9月,湖南大学研究团队联合湖南师范大学、诺视科技公司、晶能光电公司,在学术期刊Advanced Materials发表了量子点色转换像素集成的Micro LED全彩集成工艺,并制备了40万尼特超高亮度、3300PPI超高分辨率的0.39英寸Micro LED全彩微显示芯片。 图片来源:Advanced Materials 一个月后,湖南大学研究团队联合诺视科技、晶能光电、数字光芯等合作者,针对现有Micro LED微显示屏在亮度和均匀性难以达到实际应用要求的难题,又在知名学术期刊Light: Science & Applications上发表了研究成果和解决方案。 图片来源:Light: Science & Applications 联合团队成功开发了包括大尺寸高质量硅衬底Micro LED外延片制备工艺、非对准键合集成技术、和原子级侧壁钝化技术的IC级GaN基Micro LED晶圆制造技术,在硅衬底GaN外延片上实现了目前公开报道最高亮度的1000万尼特的绿光Micro LED微显模组。 大尺寸的硅衬底外延技术更加符合当下Micro LED应用的发展趋势。 2020年,晶能光电推出8英寸硅衬底InGaN红光外延技术;2021年,晶能光电制备出了像素密度为1000PPI的硅衬底InGaN红、绿、蓝三基色Micro LED阵列; 晶能光电硅衬底GaN基RGB Micro LED阵列 2022年,晶能光电突破8英寸硅衬底InGaN基三基色Micro LED外延关键技术,成功制备5微米pitch的Micro LED三基色阵列; 晶能光电12英寸硅衬底红、绿、蓝光InGaN基LED外延片快检EL点亮效果 目前,晶能光电已具备365-650nm全色系硅衬底GaN LED外延技术,并开发出4-12英寸硅衬底GaN基红\绿\蓝Micro LED外延,已向全球研究机构和企业提供标准厚度8inch CMOS匹配的高质量外延片产品。 针对万级像素矩阵车灯和车载HUD应用,晶能光电已开发蓝光Micro LED外延结构,在1000A/cm2下能够实现20%以上的外量子效率。 LED行业正在快步走向Micro LED时代,在成本和良率的驱动下,向大尺寸硅衬底Micro LED外延晶圆升级已是Micro LED产业化的重要发展趋势。 |