消息称谷歌 Tensor G5 芯片基于台积电 3nm 制程，已成功进入流片阶段

台媒《工商时报》近日报道称，预计用于谷歌明年旗舰智能手机的 Tensor G5 芯片将基于台积电 3nm 制程，已成功进入流片阶段。

流片是芯片正式量产前的关键阶段，用小规模的芯片试产检验芯片设计是否正确。对于首次完全自研手机 SoC 的谷歌而言，如果顺利通过流片，那离 Tensor G5 的成功就近了一大步。

Tensor G5 的全自研，将意味着谷歌可完成对 Pixel 设备从芯片到设备整机再到操作系统乃至应用程序的全方位掌控，有助于实现更深度的软硬件整合。

最终，谷歌能更快将 AI 应用部署在自家设备上，打造差异化产品，从而在竞争激烈的智能手机市场中脱颖而出。

谷歌 Tensor G5 芯片代号 Laguna Beach“拉古纳海滩”，将通过台积电 InFo_PoP 晶圆级扇出封装技术实现 SoC 和 DRAM 的堆叠，支持 16GB 以上内存。